| Tipo |
Transistor bipolar (BJT), Darlington |
| Polaridad |
NPN |
| Encapsulado |
TO‑3 (metal) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) |
60 V |
| Voltaje colector‑base máximo (VCBO) |
60 V |
| Voltaje emisor‑base máximo (VEBO) |
5 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
16 A |
| Corriente pico de colector (ICM) |
20 A |
| Ganancia DC (hFE mínima) |
≈ 1000 |
| Potencia disipada (PD) @ TC = 25 °C |
150 W |
| Temperatura de operación |
–65 °C a +200 °C |
| Resistencia térmica RθJC |
≈ 1.17 °C/W |
| Uso típico |
Amplificadores de potencia, etapas de salida y aplicaciones generales de conmutación/media potencia |
