Parámetro Valor típico / máximo
Tipo Transistor bipolar (BJT)
Polaridad PNP
Encapsulado TO‑3 (metálico)
Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) ~150 V
Voltaje colector‑base máximo (VCBO) ~150 V
Voltaje emisor‑base máximo (VEB) ~5 V
Corriente continua de colector (IC) ~8 A
Disipación de potencia máxima (PC) ~90 W
Ganancia de corriente DC (hFE) ~20 (típico)
Frecuencia de transición (fT) ~20 MHz
Temperatura de operación (Tj) hasta ~150 °C
Uso típico Etapas de potencia, amplificadores, fuentes de alimentación

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