| Tipo |
Transistor bipolar (BJT) |
| Polaridad |
NPN |
| Encapsulado |
TO‑3 (TO‑204) |
| Voltaje colector‑emisor (VCEO) |
~400 V |
| Voltaje colector‑base (VCBO) |
~400 V |
| Voltaje emisor‑base (VEB) |
~5 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
10 A |
| Corriente máxima de base (IB) |
2 A |
| Potencia disipada (PD) @ TC = 25 °C |
~125 W |
| Ganancia DC (hFE) |
~15–90 (dependiendo de corriente) |
| Frecuencia de transición (fT) |
~2.5 MHz |
| Temperatura de operación (Tj) |
–65 °C a +150 °C |
| Resistencia térmica (RθJC) |
~1.0 °C/W |
| Uso típico |
Amplificadores de potencia, inverters, reguladores y conmutación de potencia |
