Parámetro	Valor
Tipo	Transistor bipolar (BJT)
Polaridad	NPN
Encapsulado	TO-220
Voltaje colector-emisor (VCEO)	400 V
Voltaje colector-base (VCBO)	700 V
Voltaje emisor-base (VEBO)	9 V
Corriente continua de colector (IC)	4 A
Corriente pico de colector (ICM)	8 A
Potencia disipada (PD)	60 W
Ganancia DC (hFE)	8 – 40
Frecuencia de transición (fT)	≈ 4 MHz
Voltaje de saturación VCE(sat)	≈ 1 – 1.5 V
Temperatura de operación	−55 °C a +150 °C
Resistencia térmica RθJC	≈ 1.6 °C/W
Encapsulado / montaje	TO-220 / Through-Hole
Pinout (1-2-3)	Base – Colector – Emisor
Uso típico	Fuentes conmutadas, inversores, balastos

MJE13005 ST-M