| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo antiparalelo de recuperación rápida (“Co‑Pack / UltraFast Soft‑Recovery Diode”) |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220AB (Full‑Pak, through‑hole) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua colector @ T_C = 25 °C (I_C) |
13 A |
| Corriente continua colector @ T_C = 100 °C |
6.5 A |
| Corriente pulsada de colector / carga inductiva (I_CM / I_LM) |
52 A |
| Corriente continua del diodo antiparalelo @ T_C = 100 °C (IF) |
7 A |
| Corriente máxima forward del diodo (IFM) |
52 A |
| Potencia máxima disipada (P_D @ T_C = 25 °C) |
60 W |
| Potencia máxima disipada @ T_C = 100 °C |
24 W |
| Voltaje saturación típico V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C = 6.5 A |
~ 1.85 V |
| Voltaje saturación máximo V_CE(on) (cond. test) |
~ 2.1 V |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_G) |
~ 27 nC |
| Tiempos de conmutación (turn‑on / turn‑off) @ 25 °C |
~ 39 ns / ~ 93 ns |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (t_rr) |
~ 37 ns |
| Clasificación de tensión puerta‑a‑emisor permitida (V_GE) |
± 20 V |
| Rango de temperatura de unión / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
