Parámetro Especificación
Número de parte MJE5852G
Tipo de transistor BJT, PNP de potencia
Encapsulado TO‑220AB (Through‑Hole)
Polaridad PNP
Corriente continua de colector (Ic) 8 A
Voltaje colector‑emisor máximo (Vceo) 400 V
Voltaje emisor‑base máximo (Vebo) 6 V
Ganancia de corriente DC mínima (hFE) ≥ 15 (según condiciones de Ic y Vce)
Tensión de saturación Vce(sat) Máx. ~5 V bajo corriente alta
Disipación máxima de potencia (Pd) 80 W
Corriente pico del colector (ICM) ~16 A (pulsada)
Temperatura de operación (Tj) –65 °C a +150 °C
Frecuencia de transición (fT) No especificada en ficha básica
Número de pines 3 (Base, Colector, Emisor)
Aplicaciones típicas Reguladores conmutados, control de motor, fuentes de alimentación, drivers de cargas inductivas

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