Parámetro Especificación
Número de parte MJE700G / MJE700GN
Tipo de transistor BJT, Darlington PNP
Encapsulado TO‑225 / TO‑126‑3 (Through‑Hole)
Polaridad PNP
Corriente máxima de colector (Ic) 4 A
Voltaje colector‑emisor máximo (Vceo) 60 V
Voltaje colector‑base máximo (Vcbo) 60 V
Voltaje emisor‑base máximo (Vebo) 5 V
Disipación máxima de potencia (Pd) 40 W
Ganancia de corriente DC mínima (hFE) ~750 @ Ic moderado
Tensión de saturación Vce(sat) ~2.5–3 V típico
Frecuencia de transición (fT) ~1 MHz
Temperatura de operación (Tj) –55 °C a +150 °C
Número de pines 3 (Emisor, Colector, Base)
Aplicaciones típicas Amplificación general, conmutación de baja velocidad
Observaciones MJE700GN es la versión Pb‑free / RoHS de MJE700