Parámetro Especificación
Número de parte MJE802
Tipo de transistor BJT, Darlington NPN
Encapsulado TO‑225‑3 / TO‑126‑3 (Through‑Hole)
Polaridad NPN
Corriente máxima de colector (Ic) 4 A
Voltaje colector‑emisor máximo (Vceo) 80 V
Voltaje colector‑base máximo (Vcbo) 80 V
Voltaje emisor‑base máximo (Vebo) 5 V
Disipación máxima de potencia (Pd) 40 W
Ganancia de corriente DC mínima (hFE) ≥ 750 @ 1.5 A, 3 V
Corriente de corte del colector (Icbo) ≤ 100 nA típica
Tensión de saturación Vce(sat) ~3 V @ Ib 40 mA, Ic 4 A
Frecuencia de transición (fT) ~1 MHz
Temperatura de operación (Tj) –55 °C a +150 °C
Número de pines 3 (Base, Colector, Emisor)
Aplicaciones típicas Conmutación de baja velocidad y amplificación general
Estado del componente Obsoleto / discontinuado