Parámetro Especificación
Número de parte MJE800G
Tipo de transistor BJT, Darlington NPN
Encapsulado TO‑225 / TO‑126‑3, Through‑Hole
Polaridad NPN
Corriente máxima de colector (Ic) 4 A
Voltaje colector‑emisor máximo (Vceo) 60 V
Voltaje colector‑base máximo (Vcbo) 60 V
Voltaje emisor‑base máximo (Vebo) 5 V
Disipación máxima de potencia (Pd) 40 W
Ganancia de corriente DC mínima (hFE) ≥ 750 (típico)
Corriente de corte del colector ~100 µA máximo
Tensión de saturación Vce(sat) ~2.5 V típico
Frecuencia de transición (fT) ~1 MHz
Temperatura de operación (Tj) –55 °C a +150 °C
Número de pines 3 (Base, Colector, Emisor)
Aplicaciones típicas Amplificación general y conmutación de baja velocidad
Estado del componente Obsoleto / discontinuado

PRODUCTOS RELACIONADOS