Parámetro Especificación
Número de parte MJF122G
Tipo de transistor BJT, Darlington NPN
Encapsulado TO‑220 FullPak (Through‑Hole)
Polaridad NPN
Corriente máxima de colector (Ic) 5 A
Voltaje máximo colector‑emisor (Vceo) 100 V
Voltaje colector‑base máximo (Vcbo) 100 V
Voltaje emisor‑base máximo (Vebo) 5 V
Ganancia de corriente DC mínima (hFE) ~2000 @ 3 A, 3 V
Corriente de corte del colector (Icbo) ~10 µA
Tensión de saturación Vce(sat) ~3.5 V @ Ib 20 mA, Ic 5 A
Disipación máxima de potencia (Pd) ~30 W
Temperatura de operación (Tj) –65 °C a +150 °C
Número de pines 3 (Base, Colector, Emisor)
Aplicaciones típicas Amplificadores generales y conmutación de potencia
Estado del componente Activo

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