MJF127 ON SEMICONDUCTOR
TRANSISTOR PNP MJF127 100V 5A TO-220F MARCA ON SEMICONDUCTOR
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Número de parte | MJF127 |
| Tipo de transistor | BJT, Darlington PNP |
| Encapsulado | TO‑220‑3 (Through‑Hole) |
| Polaridad | PNP |
| Corriente máxima de colector (Ic) | 5 A |
| Voltaje colector‑emisor máximo (Vceo) | 100 V |
| Voltaje emisor‑base máximo (Vebo) | 5 V |
| Ganancia de corriente DC mínima (hFE) | ~2000 @ 3 A, 3 V |
| Corriente de corte del colector (Icbo) | ~10 µA |
| Tensión de saturación Vce(sat) | Máx. ~3.5 V @ Ib 20 mA, Ic 5 A |
| Disipación máxima de potencia (Pd) | ~2 W |
| Temperatura de operación (Tj) | –65 °C a +150 °C |
| Número de pines | 3 (Base, Colector, Emisor) |
| Aplicaciones típicas | Amplificación general y conmutación de potencia de baja/mediana velocidad |
| Observaciones | Versión mejorada: MJF127G (Pb‑free) |
