Característica Valor típico Notas
Tipo NPN BJT Transistor bipolar de propósito general
Aplicación Amplificación / Switching Uso general en circuitos electrónicos
Encapsulado TO‑92 Montaje a través de orificio
Tensión Colector‑Emisor (Vceo) 60 V Máximo voltaje entre C y E
Tensión Colector‑Base (Vcbo) 60 V Máximo voltaje entre C y B
Tensión Emisor‑Base (Vebo) 6 V Máximo voltaje entre E y B
Corriente Colector (Ic) 500 mA Corriente máxima continua
Potencia disipada (Pd) 625 mW Máxima potencia en operación
Ganancia DC (hFE) 75 – 300 Depende de corriente y tensión
Frecuencia de transición (fT) 150 MHz Velocidad de respuesta de señal
Voltaje de saturación Vce(sat) 0.3 – 0.4 V Depende de corriente de base y colector
Rango de temperatura −55 °C a +150 °C Operación y almacenamiento