| Tipo de dispositivo |
IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor N‑Channel (NPT) |
| Tecnología |
NPT (Non‑Punch Through) |
| Voltaje colector‑emisor (VCES) |
1200 V |
| Voltaje puerta‑emisor (VGES) |
±25 V |
| Corriente del colector (IC) |
64 A @ TC=25 °C40 A @ TC=100 °C |
| Corriente pulsada (ICM) |
160 A |
| Potencia disipada máxima (PD) |
417 W @ TC=25 °C200 W @ TC=100 °C |
| Temperatura de operación (TJ) |
−55 °C a +150 °C |
| Encapsulado |
TO‑247‑3 / TO‑264‑3 (Through‑Hole) |
| Tensión de saturación VCE(sat) |
~2.6 V @ IC=40 A, VGE=15 V |
| Tiempos de conmutación |
td(on) ~15 ns, td(off) ~110 ns (típico) |
| Switching Losses |
E(on) ~2.3 mJ, E(off) ~1.1 mJ (típico) |
| Características adicionales |
Alta velocidad de conmutación, alta impedancia de entrada, bajas pérdidas de conducción y conmutación |
