Parámetro	Valor / Detalle
Tipo de dispositivo	IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor N‑Channel (NPT)
Tecnología	NPT (Non‑Punch Through)
Voltaje colector‑emisor (VCES)	1200 V
Voltaje puerta‑emisor (VGES)	±25 V
Corriente del colector (IC)	64 A @ TC=25 °C40 A @ TC=100 °C
Corriente pulsada (ICM)	160 A
Potencia disipada máxima (PD)	417 W @ TC=25 °C200 W @ TC=100 °C
Temperatura de operación (TJ)	−55 °C a +150 °C
Encapsulado	TO‑247‑3 / TO‑264‑3 (Through‑Hole)
Tensión de saturación VCE(sat)	~2.6 V @ IC=40 A, VGE=15 V
Tiempos de conmutación	td(on) ~15 ns, td(off) ~110 ns (típico)
Switching Losses	E(on) ~2.3 mJ, E(off) ~1.1 mJ (típico)
Características adicionales	Alta velocidad de conmutación, alta impedancia de entrada, bajas pérdidas de conducción y conmutación

FGL40N120AN FSC