Característica Especificación típica Notas
Tipo PNP BJT Transistor bipolar PNP
Aplicación Amplificación / Switching Señales generales
Encapsulado TO‑92 A través de orificio
Tensión Colector‑Emisor (VCEO) 60 V Voltaje máximo entre C y E
Tensión Colector‑Base (VCBO) 60 V Voltaje entre C y B
Tensión Emisor‑Base (VEBO) ~5 V Voltaje máximo entre E y B
Corriente Colector continua (Ic) 500 mA Corriente máxima continua
Potencia disipada (Pd) 625 mW Potencia máxima en operación
Ganancia de corriente DC (hFE) 100 – 300 Dependiendo de Ic y VCE
Frecuencia de transición (fT) 150 MHz Aproximado a 10 mA, 5 V
VCE sat (I C =100 mA) ~300 – 400 mV Saturación típica
Rango de temperatura −55 a +150 °C Unión / almacenamiento
Fabricantes / Estado onsemi / Fairchild / varios Parte disponible con variantes