| Tipo / Tecnología |
IGBT “Field-Stop” (puerta aislada) |
| Voltaje máximo colector-emisor (V_CES / V_CEO) |
600 V |
| Voltaje máximo gate-emisor (V_GES) |
± 20 V |
| Corriente continua máxima de colector (I_C) |
40 A a 100 °C / hasta ~ 80 A a 25 °C (dependiendo temperatura) |
| Corriente de colector en pulso máximo (I_CM) |
120 A (pulsada, TC = 25 °C) |
| Potencia máxima disipada (P_D) |
290 W @ TC = 25 °C; ~ 116 W @ TC = 100 °C |
| Saturación colector-emisor (V_CE(sat)) típica |
~ 2.3 V @ I_C = 40 A, V_GE = 15 V |
| Encapsulado / Paquete |
TO-247 (through-hole, flange/“chasis”) |
| Rango de temperatura de operación (junction) |
–55 °C a +150 °C |
| Características destacadas |
Alta corriente soportada; baja caída en saturación; switching rápido; alta impedancia de entrada; pérdidas de conducción y conmutación reducidas — ideal para inversores, UPS, fuentes conmutadas, PFC, soldadoras, etc. |
