Parámetro	Valor típico / máximo	Descripción
Tipo de dispositivo	Fototransistor NPN de silicio	Transistor sensible a luz
Configuración de salida	Transistor (no integrado con circuito lógico)	Salida proporcional a luz recibida
Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO)	≈ 30 V	Tensión máxima entre colector y emisor sin daño
Potencia disipada (PD)	≈ 250 mW	Potencia máxima total que puede disipar el fototransistor
Encapsulado / Paquete	TO‑18 (metal can)	Montaje through‑hole en paquete metálico
Número de pines	3 pines	Colector, base (si está disponible), emisor
Corriente del colector (IC)	Varía según iluminación (mA)	Corriente generada por la luz incidente
Corriente oscura (ID sin luz)	Muy baja (≈ nA)	Corriente residual sin iluminación
Ángulo de recepción	Estrecho a moderado	Campo de visión de luz detectable
Sensibilidad espectral	Visible a infrarrojo cercano (≈ 800–940 nm)	Detecta luz en rango de sensores infrarrojos
Aplicaciones típicas	Detección de presencia/reflexión, sensores ópticos, contadores de objetos, control lógico por luz	Uso general en sistemas optoelectrónicos
Tiempo de respuesta	Depende del circuito y polarización	Velocidad de conmutación del sensor
Base interna	Puede estar disponible o no	Permite polarización de la salida si está accesible

MRD3056 MOTOROLA