MTP2P50E ON
TRANSISTOR MOSFET P-CH MTP2P50E TO-220 500V,2A MARCA ON
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Tipo de dispositivo | — | MOSFET de potencia, canal P | — |
| Modo de operación | — | Enhancement (modo enriquecimiento) | — |
| Voltaje drenaje‑fuente máximo | VDSS | 500 | V |
| Voltaje compuerta‑fuente máximo | VGS | ±20 | V |
| Corriente continua de drenaje | ID | 2.0 | A (Tc) |
| Corriente continua de drenaje a 100 °C | ID @100 °C | 1.6 | A |
| Corriente de pulso (≤10 µs) | IDM | 6.0 | A |
| Resistencia drenaje‑fuente ON (RDS(on)) | — | 6 | Ω (máx. @ VGS=10 V, ID=1 A) |
| Tensión umbral de compuerta | VGS(th) | ~4 | V (máx. @ 250 µA) |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | — | ~1183 | pF |
| Carga total de compuerta (Qg) | — | ~27 | nC (aprox. @ 10 V) |
| Potencia disipada total | PD | 75 | W (Tc) |
| Temperatura de unión / almacenamiento | TJ, Tstg | −55 a +150 | °C |
| Energía de avalancha (único pulso) | EAS | ~80 | mJ |
| Resistencia térmica unión‑a‑caja | RθJC | ~1.67 | °C/W |
| Resistencia térmica unión‑a |
