| Parámetro | Valor aproximado | Unidad |
|---|---|---|
| Tipo de dispositivo | MOSFET de potencia, canal P | — |
| Voltaje drenaje‑fuente máximo | 250 | V |
| Corriente continua de drenaje | 5 | A |
| Resistencia drenaje‑fuente ON | ~3 | Ω (máx.) |
| Potencia disipada | 75 | W |
| Encapsulado típico | TO‑220AB | — |
| Modo de operación | Enhancement | — |
| Polaridad | P‑Channel | — |
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