Característica Valor típico Unidad
Tipo N‑Channel Power MOSFET —
Voltaje drenador–fuente (VDSS) ~80 V V
Corriente drenador continua (ID) ≈120 A A
Corriente drenador pulsada (IDM) ≈480 A A
Voltaje puerta–fuente (VGS) ±20–25 V V
Disipación de potencia ~168–220 W W
RDS(on) (típico) muy bajo (miliohm) Ω
Temperatura operativa −55 °C a ~175 °C °C
Encapsulado TO‑220 (o TO‑220AB) —

PRODUCTOS RELACIONADOS