Parámetro	Valor / Detalle
Tipo de dispositivo	IGBT canal N, con alta impedancia de entrada (MOS‑gated) y bajas pérdidas en conducción.
Tensión colector‑emisor máxima (V_CE)	600 V
Corriente continua de colector (I_C) máx. @ 25 °C	24 A
Corriente de colector pulsada (I_CM)	96 A
Potencia máxima disipada	≈ 104 W
Caída V_CE(on) típica/máx @ V_GE, I_C	≈ 2 V @ V_GE = 15 V, I_C = 12 A
Carga de compuerta (Gate Charge)	≈ 48 nC
Montaje / Paquete	TO‑220-3 (Through‑Hole / TO‑220AB)
Rango de temperatura de operación (junción)	–40 °C … +150 °C
Comentario sobre estado	El componente está clasificado como “obsoleto / EOL (end‑of‑life)” en varios proveedores.

HGTP12N60C3 IGBT