Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad	Condición
Tipo de transistor	—	NPN	—	—
Encapsulado	—	TO-92	—	—
Voltaje colector-emisor máx.	VCEO	300	V	—
Voltaje colector-base máx.	VCBO	300	V	—
Voltaje emisor-base máx.	VEBO	6	V	—
Corriente de colector máx.	IC	200	mA	—
Disipación de potencia	PD	625	mW	TA = 25 °C
Ganancia de corriente DC	hFE	40 – 150	—	IC típico
Frecuencia de transición	fT	≈ 50	MHz	—
Voltaje C-E en saturación	VCE(sat)	0.3 – 0.5	V	IC ≈ 10 mA
Corriente de fuga C-E	ICBO	≤ 100	nA	—
Temperatura de operación	TJ	−55 a +150	°C	—

PN3568 FAIRCHID