Parámetro Símbolo Valor Unidad Condición
Tipo de transistor — NPN — —
Encapsulado — TO-92 — —
Voltaje colector-emisor máx. VCEO 40 V —
Voltaje colector-base máx. VCBO 60 V —
Voltaje emisor-base máx. VEBO 5 V —
Corriente de colector máx. IC 200 mA —
Disipación de potencia PD 625 mW TA = 25 °C
Ganancia de corriente DC hFE 100 – 300 — IC típico
Frecuencia de transición fT ≈ 100 MHz —
Voltaje C-E en saturación VCE(sat) 0.2 – 0.3 V IC ≈ 10 mA
Corriente de fuga C-E ICBO ≤ 100 nA —
Temperatura de operación TJ −55 a +150 °C —