Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia Canal N
Voltaje drenador-fuente (VDSS) 200 V
Corriente continua de drenador (ID) 12 A
Resistencia ON (RDS(on)) ≈ 0.30 Ω @ VGS = 10 V
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)) 2 – 4 V
Voltaje compuerta-fuente máx. (VGS(max)) ±20 V
Potencia máxima de disipación (PD) ≈ 75 W
Capacitancia de entrada (Ciss) ≈ 900 – 1100 pF
Carga total de compuerta (Qg) ≈ 40 – 60 nC
Temperatura de operación –55 °C a +150 °C
Encapsulado TO-220 (3 pines)
Tipo de control No es logic-level
Aplicaciones típicas SMPS, inversores, control de motores, conmutación de alta tensión

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