Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia Canal N
Voltaje drenador-fuente (VDSS) 100 V
Corriente continua de drenador (ID) 12 A
Resistencia ON (RDS(on)) ≈ 0.20 Ω @ VGS = 5 V
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)) 1 – 2 V
Voltaje compuerta-fuente máx. (VGS(max)) ±10 V
Potencia máxima de disipación (PD) ≈ 60 W
Capacitancia de entrada (Ciss) ≈ 900 pF
Temperatura de operación –55 °C a +150 °C
Encapsulado TO-220 (3 pines)
Tipo de control Nivel lógico (Logic Level)
Aplicaciones típicas Fuentes conmutadas, control de motores, relés, cargas inductivas, DC-DC

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