Parámetro	Valor / Descripción
Tipo de dispositivo	MOSFET de potencia N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS)	60 V
Corriente continua de drenador (ID)	50 A (a temperatura de carcasa)
Resistencia ON (RDS(on))	≈ 0.022 Ω @ VGS=10 V
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th))	≈ 2 – 4 V
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS(max))	±20 V
Carga total de compuerta (Qg)	≈ 125–150 nC
Capacitancia de entrada (Ciss)	≈ 2020 pF
Potencia máxima de disipación (PD)	≈ 131 W
Temperatura de operación (Tj)	–55 °C a +175 °C
Encapsulado	TO‑220AB (3 pines)
Tecnología	MegaFET (alta eficiencia)
Aplicaciones típicas	Reguladores conmutados, convertidores DC‑DC, control de motor, drivers de relé

RFP50N06 FSC