Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) 60 V
Corriente continua de drenador (ID) 45 A (TC = 25 °C)
Resistencia ON (RDS(on)) ≈ 0.028 Ω @ VGS=10 V
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS(max)) ±20 V
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)) ≈ 4 V @ 250 µA
Carga total de compuerta (Qg) ≈ 150 nC (VGS=20 V)
Capacitancia de entrada (Ciss) ≈ 2050 pF @ 25 V
Disipación de potencia (PD) ≈ 131 W (TC)
Temperatura de operación (Tj) –55 °C a +175 °C
Encapsulado / Montaje TO‑220‑3 (Through‑Hole)
Tiempos de conmutación (típicos) Rise ~74 ns, Fall ~16 ns
Aplicaciones típicas Reguladores conmutados, control de motores, convertidores DC‑DC, drivers de relé o cargas inductivas

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