Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) 60 V
Corriente continua de drenador (ID) 70 A (TC)
Resistencia ON (RDS(on)) ≈ 0.014 Ω @ VGS=10 V
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)) ≈ 2–4 V
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS(max)) ±20 V
Carga total de compuerta (Qg) ~120–156 nC
Capacitancia de entrada (Ciss) ~2250 pF (@ 25 V)
Disipación de potencia (PD) ≈ 150 W (TC)
Temperatura de operación (Tj) –55 °C a +175 °C
Encapsulado TO‑220AB – 3 pines
Aplicaciones típicas Reguladores conmutados, controladores de motor, convertidores DC‑DC, drivers de relés