RFP8N20L FAIRCHILD

TRANSISTOR MOSFET CH-N RFP8N20L 8A 200V TO-220 MARCA FAIRCHILD

Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) 200 V
Corriente continua de drenador (ID) 8 A
Resistencia ON (RDS(on)) ≈ 0.6 Ω (aprox.)
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS(max)) ±20 V (típico en MOSFETs de este tipo)
Umbral de compuerta (VGS(th)) ~2–4 V (detecta conducción desde bajo voltaje)
Optimización de puerta Logic Level (conduce bien con señal lógica ~5 V)
Capacitancia de entrada / carga de compuerta Moderada (no siempre listada pero típica ~nC)
Encapsulado TO‑220AB (Through‑Hole)
Potencia máxima de disipación ~60 W (TC)
Temperatura de operación –55 °C … +150 °C (típico)
Aplicaciones típicas Conmutación de potencia, control de cargas, automoción, solenoides

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