S2000N TOSHIBA
TRANSISTOR NPN S2000N 8A 1500V MARCA TOSHIBA
| Parámetro | Valor / Descripción |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Transistor bipolar NPN (BJT) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCE) | ~1500 V |
| Voltaje colector‑base máximo (VCB) | ~1500 V |
| Voltaje emisor‑base máximo (VEB) | ~5 V |
| Corriente continua de colector (IC) | ~8 A |
| Corriente pulsada de colector | ~15 A |
| Disipación de potencia (PD) | ~50 W |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | Baja (≈4.5–30 según condiciones) |
| Frecuencia de transición (fT) | ~2 MHz |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | ~1 – 5 V |
| Temperatura de unión máxima | ~150 °C |
| Encapsulado | TO‑3P (potencia) |
| Aplicaciones típicas | Salida horizontal de TV, reguladores conmutados de alto voltaje |
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