Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo Transistor bipolar NPN
Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) 25 V
Voltaje colector‑base máximo (VCB) 30 V
Voltaje emisor‑base máximo (VEBO) 5 V
Corriente continua del colector (IC) 1.5 A
Potencia máxima de disipación (PD) 1 W (TO‑92)
Ganancia de corriente (hFE) 85 – 400 (según lote)
Frecuencia de transición (fT) ≈100 MHz
Encapsulado TO‑92 (a través de PCB)
Uso típico Amplificación de señal, conmutación de baja potencia, etapas push‑pull junto con S8550