Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET lateral N‑Channel (DMOS)
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) ~20 V
Corriente continua de drenador (ID) ~50 mA
Disipación de potencia ~300 mW
Resistencia ON (RDS(on)) alta (decenas de ohmios, ~45 Ω)
Umbral de compuerta (VGS(th)) ~1.5 V máxima
**Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS max)**
Encapsulado Metal can (TO‑72 / TO‑206AF‑4)
Aplicaciones típicas Conmutación analógica/digital, multiplexores, switches rápidos de señal
Tecnología DMOS lateral, alta velocidad