Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo Transistor bipolar NPN
Voltaje colector‑emisor máximo (VCE) ~25 V
Voltaje colector‑base máximo (VCB) ~30 V
Voltaje emisor‑base máximo (VEB) ~6 V
Corriente continua del colector (IC) ~0.1 A (100 mA)
Potencia máxima de disipación (PC) ~0.2 W
Polaridad NPN
Material Silicio
Package/Encapsulado Tipo clásico (TO‑106 / similar)
Temperatura de operación máxima ~125 °C
Uso típico Amplificación de pequeña señal / conmutación ligera