| Parámetro | Valor / Descripción |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | MOSFET de potencia N‑Channel |
| Voltaje drenador‑fuente (VDSS) | ~30 V |
| Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS) | ~±24 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | ~20 A |
| Resistencia ON RDS(on) (máx) | ~0.02 Ω |
| Disipación de potencia (PD) | ~30 W |
| Temperatura de unión máxima (Tj) | ~150 °C |
| Capacitancia de salida (Coss) | ~700 pF |
| Tiempos de conmutación | ~130 ns |
| Encapsulado | Tipo TP (por ejemplo TO‑252 / SOT‑223 estilo) |
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