Parámetro	Valor / Descripción
Tipo de dispositivo	MOSFET de potencia, Canal‑N (CoolMOS™ C3)
Voltaje drenador‑fuente (VDSS)	650 V
Corriente continua de drenador (ID)	11 A (TC = 25 °C)
Resistencia ON RDS(on) (máx)	≈ 0.38 Ω @ VGS = 10 V
Voltaje compuerta‑fuente (máx)	±20 V
Voltaje umbral de puerta (VGS(th))	Hasta ~3.9 V
Potencia máxima de disipación (PD)	33 W
Capacitancia de entrada (Ciss)	~1200 pF @ 25 V
Carga de compuerta (Qg)	~60 nC @ 10 V
Temperatura de operación	–55 °C a +150 °C
Encapsulado	TO‑220FP (FullPAK), Through‑Hole
Aplicaciones típicas	Fuentes conmutadas, PFC, control de motores, convertidores de potencia

SPA11N60C3 INFINEON