Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) 60 V (máx)
Corriente continua de drenador (ID) 60 A (TC = 25 °C)
Corriente continua (ID a 100 °C) ≈ 39 A
Corriente pulsada de drenador (IDM) 120–240 A (según fuente)
Resistencia en conducción RDS(on) (máx) 0.018 Ω @ V<sub>GS</sub>=10 V
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS) ±20 V
Energía de avalancha repetitiva ~90–180 mJ
Potencia máxima de disipación (PD) ~120–125 W (TC = 25 °C)
Temperatura de operación –55 °C … +175 °C
Encapsulado típico TO‑220AB / TO‑220
Aplicaciones típicas Fuentes conmutadas, control de motores, convertidores DC‑DC, cargas de potencia

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