Parámetro Valor / Especificación
Número de parte SSS7N60B
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia N-Channel (canal N)
Tecnología DMOS planario (modo mejora)
Voltaje drenaje-fuente (VDSS) 600 V
Corriente contínua de drenaje (ID) ~7 A * (limitado por temperatura)
Corriente contínua a 100 °C ~4.4 A *
Corriente pulsada (IDM) ~28 A *
Voltaje puerta-fuente (VGSS) ±30 V máximo (
Resistencia en conducción (RDS(on)) ~1.2 Ω @ VGS=10 V
Carga total de la puerta (Qg) ~38 nC (típico)
Capacitancia Crss (Crss) ~23 pF (típico)
Energía de avalancha única (EAS) ~420 mJ
dv/dt pico de recuperación del diodo ~3.0–5.5 V/ns (según fuente / nota)
Disipación de potencia (PD) ~48 W (en SSS7N60B)
Rango de temperatura de operación −55 °C a +150 °C
Encapsulado típico TO-220F (aislado)
Aplicaciones comunes Fuentes conmutadas, control de motores, drivers de potencia, electrónica industrial