Parámetro	Símbolo	Valor típico / máximo	Unidad
Tipo de dispositivo	—	MOSFET de potencia, canal N	—
Modo de operación	—	Enhancement (modo enriquecimiento)	—
Voltaje drenaje-fuente máximo	VDSS	60	V
Voltaje compuerta-fuente máximo	VGS	±20	V
Corriente continua de drenaje	ID	60	A (máx., según tratamiento térmico)
Corriente de pulso de drenaje	IDM	~240	A
Resistencia drenaje-fuente ON	RDS(on)	≈0.018 – 0.03	Ω (a VGS=10 V)
Tensión umbral de compuerta	VGS(th)	2.0 – 4.0	V
Potencia total disipada	PD	≥ 120	W
Capacitancia de entrada típica	Ciss	~2000	pF
Carga total de compuerta	Qg	~50 – 80	nC
Temperatura de operación / almacenamiento	TJ / Tstg	−55 a +175	°C
Diodo interno	—	Sí (body diode, recuperación rápida)	—
Encapsulado típico	—	TO-220 / TO-262 (según lote)	—

TRANSISTOR MTM60N05