| Tipo de dispositivo |
— |
MOSFET de potencia, canal N |
— |
| Modo de operación |
— |
Enhancement (modo enriquecimiento) |
— |
| Voltaje drenaje-fuente máximo |
VDSS |
60 |
V |
| Voltaje compuerta-fuente máximo |
VGS |
±20 |
V |
| Corriente continua de drenaje |
ID |
60 |
A (máx., según tratamiento térmico) |
| Corriente de pulso de drenaje |
IDM |
~240 |
A |
| Resistencia drenaje-fuente ON |
RDS(on) |
≈0.018 – 0.03 |
Ω (a VGS=10 V) |
| Tensión umbral de compuerta |
VGS(th) |
2.0 – 4.0 |
V |
| Potencia total disipada |
PD |
≥ 120 |
W |
| Capacitancia de entrada típica |
Ciss |
~2000 |
pF |
| Carga total de compuerta |
Qg |
~50 – 80 |
nC |
| Temperatura de operación / almacenamiento |
TJ / Tstg |
−55 a +175 |
°C |
| Diodo interno |
— |
Sí (body diode, recuperación rápida) |
— |
| Encapsulado típico |
— |
TO-220 / TO-262 (según lote) |
— |
