Parámetro Símbolo Valor / Característica Unidad
Tipo de dispositivo — MOSFET de potencia, canal N —
Modo de operación — Enhancement (modo enriquecimiento) —
Voltaje drenaje-fuente máximo VDSS 200 V
Voltaje compuerta-fuente máximo VGS ±20 V
Corriente continua de drenaje ID 40 A
Corriente de pulso de drenaje IDM 200 A
Resistencia drenaje-fuente ON RDS(on) 0.08 Ω
Potencia disipada máxima PD 250 W
Temperatura máxima de unión TJ 150 °C
Número de elementos por chip — 1 —
Polaridad / Canal — N-Channel —
Configuración — MOSFET con diodo interno —
Tiempo de encendido máximo ton ≈360 ns
Tiempo de apagado máximo toff ≈650 ns
Encapsulado — TO-204AE / flange mount —