| Tipo de dispositivo |
MOSFET de potencia, N‑Channel |
Transistor de efecto de campo para conmutación de potencia |
| Voltaje drenador‑fuente (VDSS) |
200 V |
Máxima tensión soportada entre drenador y fuente |
| Voltaje compuerta‑fuente (VGS) |
±20 V |
Límite de tensión seguro en la compuerta |
| Corriente continua de drenador (ID) |
52 A |
Corriente máxima continua a 25 °C |
| Corriente pulsada de drenador (IDM) |
≈208 A |
Corriente máxima en pulsos breves |
| Resistencia drenador‑fuente en conducción RDS(on) |
≈0.045 Ω @ VGS=10 V |
Baja resistencia para minimizar pérdidas |
| Voltaje umbral de puerta (VGS(th)) |
2–4 V |
Voltaje donde empieza a conducir ligeramente |
| Carga total de puerta (Qg) |
≈160 nC |
Afecta la velocidad de conmutación |
| Capacitancia de entrada (Ciss) |
≈2,400 pF |
Capacitancia interna entre puerta y drenador/fuente |
| Potencia disipada (PD) |
≈250 W |
Potencia máxima con disipador adecuado |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220AB |
Montaje a través de placa con disipador |
| Número de pines |
3 pines |
Fuente, compuerta, drenador |
| Rango de temperatura de operación |
−55 °C a +150 °C |
Temperatura de unión máxima |
| Diodo antiparalelo integrado |
Sí |
Para conmutación y protección frente a corrientes inversas |
| Aplicaciones típicas |
Fuentes conmutadas, control de motores, inversores, electrónica de potencia |
Uso en aplicaciones de media y alta tensión y corriente |
