| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo de recuperación rápida interna (“UltraFast Soft‑Recovery Diode”) |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220AB (TO‑220‑3) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua de colector a T_C = 25 °C |
16 A |
| Corriente continua de colector a T_C = 100 °C |
9 A |
| Corriente pulsada de colector / carga inductiva |
32 A |
| Corriente continua del diodo a T_C = 100 °C |
7 A |
| Corriente máxima forward del diodo |
32 A |
| Disipación máxima de potencia, T_C = 25 °C |
60 W |
| Disipación máxima de potencia, T_C = 100 °C |
24 W |
| Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Temperaturas de unión / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
| Voltaje saturación típico V_CE(on) (V_GE = 15 V, I_C ≈ 9 A) |
2.27 V |
| Corto‑circuito soportado |
10 µs @ 125 °C, V_GE = 15 V |
| Frecuencia óptima de operación |
Alta frecuencia (>5 kHz), diseño “UltraFast IGBT” |
