| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo antiparalelo de recuperación rápida (Ultra‑soft / “Soft‑Recovery Diode”) |
| Tensión máx. colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua máx. de colector (I_C) |
31 A |
| Corriente pulsada / pico de colector (I_CM / I_LM) |
120 A |
| Potencia máxima disipada (case a 25 °C) |
100 W |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_G) |
77 nC |
| Voltaje compuerta‑a‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Rango de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220 (para versión through‑hole) — también versión en D2PAK (superficie) según variante |
| Uso recomendado / características |
Diseño “Generation 4 IGBT”, optimizado para conmutaciones a frecuencias medias: ~ 1‑5 kHz con “hard‑switching”, y > 20 kHz en modo resonante — ideal para inversores, fuentes, control de motores |
