GT8Q101 TOSHIBA
IGBT GT8Q101 MARCA TOSHIBA
| Parámetro | Símbolo | Valor / Rango |
|---|---|---|
| Tipo / Descripción | — | IGBT N‑Channel, alta potencia / conmutación |
| Voltaje colector‑emisor máximo | VCE | 1200 V |
| Corriente de colector continua | IC | 8 A |
| Potencia máxima disipada | PC | 100 W |
| Voltaje puerta-emisor permitido | VGE | ±20 V |
| Caída VCE en saturación (típica) | VCE(sat) | ~3 V a 25 °C |
| Temperatura máxima de unión | Tj,max | 150 °C |
| Tiempo de subida | tr | ~300 ns |
| Paquete / encapsulado | — | TO‑3P |
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