| Tipo de dispositivo |
IGBT discreto N‑Channel |
Transistor de potencia con puerta aislada |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
1200 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
5 |
A |
| Corriente pulsada de colector |
~15 |
A (pico corto) |
| Potencia máxima disipada |
~100 |
W (con disipador adecuado) |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P o similar |
Montaje con disipador térmico |
| Temperatura de operación (Tj) |
–55 … +150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento (Tstg) |
–55 … +150 |
°C |
| Diodo antiparalelo interno |
Puede incluir |
Permite conducción inversa para cargas inductivas |
| Tiempos de conmutación |
Sub‑microsegundos |
Encendido/apagado típico en IGBTs de potencia |
| Aplicaciones típicas |
Inversores, control de motores, UPS, fuentes conmutadas |
Electrónica de potencia general
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