Parámetro Símbolo Valor Unidad / Notas
Tipo IGBT N‑Channel
Encapsulado TO‑247 3 pines
Clasificación máxima (absoluta)
Voltaje colector‑emisor VCES 600 V
Voltaje puerta‑emisor VGES ±20 V
Corriente colector (TC=25 °C) IC 100 A
Corriente colector (TC=100 °C) IC 75 A
Corriente pulsada ICP 225 A
Disipación de potencia (IGBT) PD 500 W
Temperatura unión Tj −40 … +175 °C
Características eléctricas
Tensión de saturación C‑E (IGBT) VCE(sat) 1.5 (típ) / 1.95 (máx) V a 75 A
Corriente en puerta (fuga) IGES ≤ 200 nA
Voltaje umbral de puerta VGE(th) 4.0 (min) / 5.0 (típ) / 6.0 (máx) V
Capacitancia de entrada Ciss ~6150 pF (
Capacitancia de salida Coss ~300 pF
Carga total de puerta QG ~460 nC
Características dinámicas (típicas)
Tiempo de encendido td(on) ~45 ns
Tiempo de apagado td(off) ~450 ns
Tiempo de subida tr ~130 ns
Tiempo de bajada tf ~105 ns
Carga/energía de conmutación
Energía encendido Eon ~3.0 mJ
Energía apagado Eoff ~4.2 mJ

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