| Tipo de dispositivo |
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
Transistor de potencia para conmutación |
| Voltaje colector‑emisor (V₍CES₎) |
600 V |
Máxima tensión que puede bloquear entre colector y emisor |
| Corriente de colector continua @ 25 °C |
60 A |
Corriente máxima continua en condiciones ideales |
| Corriente de colector continua @ 100 °C |
30 A |
Limitada térmicamente |
| Corriente pulsada de colector |
≈ 120 A |
Corriente de pico en pulsos breves |
| Tensión puerta‑emisor (V₍GES₎) |
±20 V |
Límite seguro en la compuerta |
| Voltaje de saturación V₍CE(sat)₎ |
≈ 1.9 – 2.4 V |
Típico durante conducción |
| Potencia total disipada (P₍D₎) |
≈ 180 – 190 W |
Con disipador térmico adecuado |
| Temperatura de unión (T₍J₎) |
−40 °C a +175 °C |
Rango de operación |
| Resistencia térmica junction‑case |
≈ 0.8 °C/W |
Capacidad de disipar calor al encapsulado |
| Tiempo de encendido (t₍on₎) |
≈ 20‑25 ns |
Tiempo típico de conmutación encendido |
| Tiempo de apagado (t₍off₎) |
≈ 200‑220 ns |
Tiempo típico de conmutación apagado |
| Energía de encendido (E₍on₎) |
≈ 0.9 mJ |
Energía típica en conmutación encendido |
| Energía de apagado (E₍off₎) |
≈ 0.4 – 0.5 mJ |
Energía típica en conmutación apagado |
| Carga total de puerta (Q₍G₎) |
≈ 150 – 170 nC |
Afecta al driver de la puerta |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑247‑3 |
Montaje con disipador |
| Diodo antiparalelo interno |
Sí, rápido |
Para manejo de corrientes reversas |
| Aplicaciones típicas |
UPS, soldadores inverter, inversores, control de motores, SMPS |
Uso industrial de potencia |
