Parámetro	Valor típico / máximo	Descripción
Tipo de dispositivo	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)	Canal N para alta potencia
Voltaje colector‑emisor (V₍CES₎)	600 V	Tensión máxima de bloqueo entre colector y emisor
Corriente de colector continua @ 25 °C	30 A	Corriente máxima continua a temperatura ambiente
Corriente de colector continua @ 100 °C	15–20 A	Limitada por condiciones térmicas
Corriente de colector pulsada	90 A	Corriente máxima en pulso
Tensión puerta‑emisor (V₍GES₎)	±20 V	Límite máximo permitido en la puerta
Voltaje de saturación (V₍CE(sat)₎)	≈ 1.5 V	Baja caída en conducción
Potencia disipada	180–190 W	Con disipador térmico adecuado
Resistencia térmica junction‑case	≈ 0.8 °C/W	Disipación térmica efectiva
Tiempo de conmutación	t₍on₎ ≈ 20 ns, t₍off₎ ≈ 250 ns	Tiempos típicos de encendido y apagado
Carga total de puerta (Q₍G₎)	160 nC	Capacitancia de entrada total
Encapsulado	TO‑247‑3	Para montaje en placa con disipador
Diodo antiparalelo interno	Sí	Recuperación rápida integrada
Aplicaciones típicas	UPS, inversores, control de motores, soldadores inverter, SMPS	Sistemas de potencia industrial

G30T60 INFINEON