| Tipo de dispositivo |
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
Canal N para alta potencia |
| Voltaje colector‑emisor (V₍CES₎) |
600 V |
Tensión máxima de bloqueo entre colector y emisor |
| Corriente de colector continua @ 25 °C |
30 A |
Corriente máxima continua a temperatura ambiente |
| Corriente de colector continua @ 100 °C |
15–20 A |
Limitada por condiciones térmicas |
| Corriente de colector pulsada |
90 A |
Corriente máxima en pulso |
| Tensión puerta‑emisor (V₍GES₎) |
±20 V |
Límite máximo permitido en la puerta |
| Voltaje de saturación (V₍CE(sat)₎) |
≈ 1.5 V |
Baja caída en conducción |
| Potencia disipada |
180–190 W |
Con disipador térmico adecuado |
| Resistencia térmica junction‑case |
≈ 0.8 °C/W |
Disipación térmica efectiva |
| Tiempo de conmutación |
t₍on₎ ≈ 20 ns, t₍off₎ ≈ 250 ns |
Tiempos típicos de encendido y apagado |
| Carga total de puerta (Q₍G₎) |
160 nC |
Capacitancia de entrada total |
| Encapsulado |
TO‑247‑3 |
Para montaje en placa con disipador |
| Diodo antiparalelo interno |
Sí |
Recuperación rápida integrada |
| Aplicaciones típicas |
UPS, inversores, control de motores, soldadores inverter, SMPS |
Sistemas de potencia industrial |
