| Tipo / Dispositivo |
IGBT de potencia (single IGBT) |
| Tensión máx. colector-emisor (V_CEO / V_CES) |
600 V |
| Corriente continua máxima de colector (I_C) |
40 A |
| Corriente de colector pulsada máxima (I_cm) |
160 A |
| Potencia máxima disipada (en carcasa/case) |
100 W |
| Caída saturación V_CE(on) (condición típica) |
~ 3.0 V @ V_GE = 15 V, I_C = 20 A (condición de prueba típica) |
| Tiempo de conmutación (on / off) |
~ 15 ns / ~ 65 ns (condiciones típicas) |
| Carga de puerta (Gate Charge) |
~ 77 nC |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo integrado (trr) |
~ 95 ns |
| Rango de temperatura de operación (unión / junction) |
–55 °C a +150 °C |
| Tipo de encapsulado / montaje |
TO-3PF (through-hole) / 3 pines |
