| Parámetro | Valor típico / máximo | Unidad / Comentario |
|---|---|---|
| Tipo de dispositivo | IGBT N‑Channel | Transistor bipolar de puerta aislada |
| Encapsulado | TO‑247‑3 (o equivalente de potencia) | Montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) | 600 | V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) | ±20 | V |
| Corriente continua de colector (IC) | 30 | A (típico) |
| Corriente pulsada de colector | ~90 | A (picos cortos permitidos) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) | ~2.0 | V @ corriente moderada |
| Potencia máxima disipada | ~150 | W (condiciones de carcasa) |
| Temperatura de operación (Tj) | −55 … +150 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | −55 … +150 | °C |
| Diodo antiparalelo interno | Sí | Conduce en dirección inversa para cargas inductivas |
| Aplicaciones típicas | Controladores de motor, inversores, UPS, fuentes conmutadas | Electrónica de potencia |
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