| Parámetro | Valor típico / máximo | Unidad / Comentario |
|---|---|---|
| Tipo de dispositivo | IGBT N‑Channel | Transistor bipolar de puerta aislada para potencia |
| Encapsulado / Paquete | TO‑3PN / TO‑3P | Para montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) | 1200 | V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) | ±20 | V |
| Corriente continua de colector (IC) | 15 | A |
| Potencia máxima disipada | 150 | W |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) | ~4 V | V (aproximado bajo condiciones típicas) |
| Temperatura máxima de unión (Tj) | +150 | °C |
| Tiempo de subida típico (tr) | ~500 | ns (indicativo de velocidad de conmutación) |
| Temperatura de almacenamiento | −55 … +150 | °C |
| Aplicaciones típicas | Conmutación de potencia, control de motor, inversores, fuentes conmutadas | Uso general en electrónica de potencia |
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