Parámetro	Valor
Tipo de componente	IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	900 V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGE)	± 25 V
Corriente continua de colector (IC)	60 A
Corriente de colector en pulso / pico (ICP, 1 ms)	120 A
Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C)	170 W
Temperatura de unión máxima (Tj)	150 °C
Saturación colector‑emisor (VCE(sat), típico)	≈ 2.1 V @ IC ≈ 10 A, VGE=15 V
Paquete / encapsulado	TO‑3P (montaje con tornillos / through‑hole)
Aplicaciones / características	IGBT de 4ª generación, con diodo de recuperación incorporado, adecuado para switching de potencia alta, inversores, fuentes conmutadas, control de motores, UPS.

GT60M303 TOSHIBA